n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成
n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成
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n 型 3C-SiC 上栅极堆叠的低温形成
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川村 啓介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本 裕介;村山 亮介;山本 圭介;王 冬;中島 寛;菱木 繁臣;川村 啓介
