4H-SiC bipolar junction transistor with high current and power density
4H-SiC bipolar junction transistor with high current and power density
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高电流和功率密度的4H-SiC双极结型晶体管
DOI：
10.1016/s0038-1101(02)00199-5
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发表时间：
2003
影响因子：
1.7
通讯作者：
B. Zeghbroeck
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Perez;R. Krutsinger;J. Torvik;B. Zeghbroeck
