Interface modification of two-step grown InGaN/GaN superlattices preparing layers for InGaN-based green LED on silicon substrate
Interface modification of two-step grown InGaN/GaN superlattices preparing layers for InGaN-based green LED on silicon substrate
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两步生长 InGaN/GaN 超晶格的界面改性为硅衬底上 InGaN 基绿色 LED 制备层
DOI：
10.1016/j.spmi.2018.12.017
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
Jiang Fengyi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jiang Xingan;Zheng Changda;Mo Chunlan;Wang Xiaolan;Zhang Jianli;Quan Zhijue;Liu Junlin;Jiang Fengyi
