Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain
Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain
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具有再生源极/漏极的 InGaAs 沟道 FinFET 的栅极可控性与鳍片宽度的关系
DOI：
10.1016/j.sse.2016.09.009
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发表时间：
2016
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Kanazawa and Y. Miyamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Kise,H. Kinoshita;A. Yukimachi;T. Kanazawa and Y. Miyamoto
