GaN FET の電流コラプス下における量子ドット形成

GaN FET の電流コラプス下における量子ドット形成
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GaN FET 电流崩塌下量子点的形成

DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
大塚朋廣
大塚朋廣
中科院分区:
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文献类型:
--
作者:
阿部峰也;篠崎基矢;相澤拓海;熊坂武志;伊藤範和;田中岳利;中原健;大塚朋廣

文献摘要

参考文献

被引文献

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