GaN FET の電流コラプス下における量子ドット形成
GaN FET の電流コラプス下における量子ドット形成
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GaN FET 电流崩塌下量子点的形成
DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
大塚朋廣
中科院分区:
文献类型:
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作者:
阿部峰也;篠崎基矢;相澤拓海;熊坂武志;伊藤範和;田中岳利;中原健;大塚朋廣
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DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
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作者:
通讯作者:
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DOI:
10.1109/synchroinfo.2018.8456955
发表时间:
2018
期刊:
2018Systems of Signal Synchronization, Generating and Processing in Telecommunications (SYNCHROINFO)
影响因子:
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作者:
A. O. Bolotov;R. G. Kholyukov;O. Varlamov
通讯作者:
O. Varlamov
DOI:
10.1109/tirved56496.2022.9965552
发表时间:
2022
期刊:
2022 Intelligent Technologies and Electronic Devices in Vehicle and Road Transport Complex (TIRVED)
影响因子:
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作者:
O. Varlamov
通讯作者:
O. Varlamov
DOI:
10.1109/weconf48837.2020.9131508
发表时间:
2020
期刊:
2020 Wave Electronics and its Application in Information and Telecommunication Systems (WECONF)
影响因子:
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作者:
O. Varlamov;V. N. Gromorushkin
通讯作者:
V. N. Gromorushkin
DOI:
10.36724/2072-8735-2021-15-9-11-16
发表时间:
2021
期刊:
T-Comm
影响因子:
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作者:
O. Varlamov;Dang;S. E. Grychkin
通讯作者:
S. E. Grychkin