Fully-scalable 2D THz radiating array: A 42-element source in 130-nm SiGe with 80-µW total radiated power at 1.01 THz
Fully-scalable 2D THz radiating array: A 42-element source in 130-nm SiGe with 80-µW total radiated power at 1.01 THz
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完全可扩展的 2D THz 辐射阵列：130 nm SiGe 中的 42 元件源，在 1.01 THz 时总辐射功率为 80 µW
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Han
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhi Hu;R. Han
本文介绍了一种采用IHP 130 nm SiGe工艺的1 THz辐射阵列。它基于高度可扩展的2D结构，该结构使用正方形槽栅来同时(1)最大化和同步大量晶体管阵列的基波振荡(ƒ)和第四次谐波产生(4ƒ；Inf&>；0；/Inf&>=1ƒ)，(2)合成具有近场抵消的驻波图案。/inf&>和3ƒ<；inf&>；0；/inf&>；和4ƒ<；inf&>；0；/inf&>；有效辐射。紧凑的设计使42个相干辐射体能够在1毫米的<sup>2</sup>面积上实现。该芯片使用13 dBm EIRP，直流功耗为1.1 W，总辐射功率为80微瓦。
This paper presents a 1-THz radiating array using IHP 130-nm SiGe process. It is based on a highly-scalable 2D structure that uses a square grid of slots to simultaneously (1) maximize and synchronize the fundamental oscillation (ƒ<inf>0</inf>=250 GHz) and 4<sup>th</sup>-harmonic generation (4ƒ<inf>0</inf>=1 THz) of a large array of transistors, (2) synthesize standing-wave patterns with near-field cancellation at ƒ<inf>0</inf>, 2ƒ<inf>0</inf> and 3ƒ<inf>0</inf> and efficient radiation at 4ƒ<inf>0</inf>. The compact design enables implementation of 42 coherent radiators on a 1-mm<sup>2</sup> area. The chip consumes 1.1-W DC power and generates 80-µW total radiated power with 13-dBm EIRP.