Fabrication of InN/InGaN Multiple Quantum Well Structures by RF-MBE
Fabrication of InN/InGaN Multiple Quantum Well Structures by RF-MBE
复制标题
RF-MBE 制造 InN/InGaN 多量子阱结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Nanishi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Kurouchi;H.Na;H.Naoi;D.Muto;S.Takado;T.Araki;T.Miyajima;Y.Nanishi
