Quantitative study of interfacial properties in monolayer MoS2 FET
Quantitative study of interfacial properties in monolayer MoS2 FET
复制标题
单层 MoS2 FET 界面特性的定量研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kosuke Nagashio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nan Fang;Kosuke Nagashio
