Fractional quantum Hall effect in hole Landau levels.
Fractional quantum Hall effect in hole Landau levels.
复制标题
空穴朗道能级中的分数量子霍尔效应。
DOI:
10.1103/physrevb.41.1290
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发表时间:
1990
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Yoshioka
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Yang;Macdonald;Yoshioka
On etudie l'effet quantique fractionnaire pour un gaz de trous dans des heterostructures de GaAs/Al x Ga 1−x As a fort melange de trous lourds et legers. Pour cela, on combine une theorie de l'interaction trou-trou effective avec des etudes de diagonalisations exactes de tailles finies. Etude de la variation de la bande interdite d'excitation sur le niveau de melange trou lourd-trou leger. Le melange peut etre controle en appliquant une contrainte uniaxiale. Suggestion d'une nouvelle experience pour observer la transition entre les etats incompressibles et les etats sans bande interdite