A novel gate-to-source ESD protection clamp for GaN HEMT
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DOI：
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发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Bo Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yijun Shi;Yiqiang Chen;Yun Huang;Zhiyuan He;Wanjun Chen;Ruize Sun;Bin Yao;Hongyue Wang;Qingzhong Xiao;Guoguang Lu;Bo Zhang
