Precipitation of oxygen in dislocation‐free silicon
Precipitation of oxygen in dislocation‐free silicon
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无位错硅中氧的沉淀
DOI：
10.1002/pssa.2210560123
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发表时间：
1979
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Wruck
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Tempelhoff;F. Spiegelberg;R. Gleichmann;D. Wruck
用红外光谱和电子显微镜研究了大块无位错直拉硅在400~1100℃等温退火后氧的析出。从热处理后观察到的红外光谱的变化可以得出结论：(I)在低温度(400~750℃)，析出物由非晶态SiO_x(x<；2)组成，它随着温度的升高转变为非晶态SiO_2；(Ii)在中等温度(750~950℃)，形成α-方石英析出物；(Iii)在高温(950~1100℃)时，析出物转变为非晶态SiO_2。在透射电子显微镜中，温度范围(I)的特点是出现“棒状”缺陷并转变为位错环，而温度范围(II)和(III)的特点是观察到片状沉淀产生位错环和层错，导致片状沉淀转变为微沉淀。
我们将在更高的温度和400℃和1100°C的温度下，在变速箱和变速箱中进行实际操作。从那时起，在非晶态的SiO_2中，我们将在非晶态的SiO_2中保持较高的温度，并在非晶态SiO_2中加入α-Cristobalite-Prazipgebilturen(750bis 950°C)。在变速箱中，最重要的是从最高温度、最高温度、最低温度、最低温度和最低温度，从最高温度到最低温度，从最高温度到最低温度，从最低温度到最低温度，从最低温度到最低温度，从最高温度到最低温度，从最低温度到最低温度，从最高温度到最低温度，从最
The precipitation of oxygen in bulk dislocation-free Czochralski silicon subjected to isothermal annealing at temperatures between 400 and 1100 °C is studied by means of infrared spectroscopy and transmission electron microscopy. From the changes in the infrared spectra observed after heat treatment it is concluded that (i) for low annealing temperatures (400 to 750°C) the precipitates consist of amorphous SiOx (x < 2) which with rising temperature is transformed into amorphous SiO2, (ii) at medium annealing temperatures (750 to 950 °C) α-cristobalite precipitates are formed, which (iii) at high annealing temperatures (950 to 1100 °C) are converted in amorphous SiO2. In transmission electron microscopy the temperature range (i) is characterized by the appearance of “rod-like” defects and its transformation into dislocation loops, and the ranges (ii) and (iii) by the observation of platelet-shaped precipitates generating dislocation loops and stacking faults, leading to the conversion of the platelet-shaped precipitates into microprecipitates.
Es wird die Prazipitation von Sauerstoff in versetzungsfreiem Czochralski-Silizium nach isothermaler Warmebehandlung bei Temperaturen zwischen 400 und 1100 °C mit Hilfe der Infrarotspektroskopie und der Transmissions-Elektronenmikroskopie untersucht. Aus den Anderungen im Infrarotspektrum, die nach der Warmebehandlung beobachtet werden, wird geschlossen, das fur niedrige Temperungstemperaturen (400 bis 750 °C) die Prazipitate aus amorphem SiOx (x < 2) bestehen, welches sich mit wachsender Temperatur in amorphes SiO2 umwandelt, das bei mittleren Temperungstemperaturen (750 bis 950 °C) α-Cristobalit-Prazipitate gebildet werden, die sich bei hohen Temperungstemperaturen (950 bis 1100 °C) in amorphes SiO2 umwandeln. In der Transmissions-Elektronenmikroskopie wird der erste Temperaturbereich durch das Auftreten von „stabchenformigen” Defekten und deren Umwandlung in Versetzungsschleifen charakterisiert und die beiden anderen Temperaturbereiche durch die Beobachtung von plattchenformigen Prazipitaten, die Versetzungsschleifen und Stapelfehler erzeugen, was schlieslich zu einer Umwandlung der plattchenformigen Prazipitate in Mikroprazipitate fuhrt.