Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy
Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy
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使用深能级瞬态光谱法评估 SiO2/GeO2/Ge 栅堆叠的边界陷阱
DOI：
10.1063/1.5055291
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发表时间：
2018
影响因子：
3.2
通讯作者：
Nakashima Hiroshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wen Wei-Chen;Yamamoto Keisuke;Wang Dong;Nakashima Hiroshi
