Low-Temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors for Flexible Electrinics with ICP-Enhanced Reactive Plasma Processes
Low-Temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors for Flexible Electrinics with ICP-Enhanced Reactive Plasma Processes
复制标题
采用 ICP 增强反应等离子体工艺低温形成用于柔性电子器件的高迁移率 IGZO 薄膜晶体管
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Akinori Ebe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kosuke Takenaka;Yuichi Setsuhara;Masashi Endo;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
