Lattice relaxation around heterointerfaces in MnAs/GaAs/InAs/GaAs(111)B grown by molecular beam epitaxy
Lattice relaxation around heterointerfaces in MnAs/GaAs/InAs/GaAs(111)B grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长的 MnAs/GaAs/InAs/GaAs(111)B 异质界面周围的晶格弛豫
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Oshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Kanetsuka;M. Akabori;T. Chen;Y. Oshima
