極限環境4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究
極限環境4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究
复制标题
极端环境4H-SiC MISFET用Al2O3、Al6Si2O13栅介质薄膜的研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
黒木 伸一郎
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
赤瀬 光;Milantha de Silva;長妻 宏都;吉川 公麿;黒木 伸一郎
