High-density InAs quantum dots on GaNAs buffer layer
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.08.033
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发表时间：
2008-11
影响因子：
1.8
通讯作者：
R. Suzuki;T. Miyamoto;T. Sengoku;F. Koyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Suzuki;T. Miyamoto;T. Sengoku;F. Koyama
