EFFECTS OF DOPING ON POLYSILICON ETCH RATE IN A FLUORINE-CONTAINING PLASMA

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DOI:
10.1063/1.334366
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发表时间:
1985-01-01
影响因子:
3.2
通讯作者:
BEARDO, D
BEARDO, D
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
BALDI, L;BEARDO, D

文献摘要

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