On the Anomalous Admittance Behavior of Non-Silicon High-k MOS Structures
On the Anomalous Admittance Behavior of Non-Silicon High-k MOS Structures
复制标题
非硅高k MOS结构的反常导纳行为研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長谷川英機
中科院分区：
文献类型：
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作者：
赤澤正道;長谷川英機
