Gain-enhanced 132-160 GHz low-noise amplifier using 0.13 mu m SiGe BiCMOS

Gain-enhanced 132-160 GHz low-noise amplifier using 0.13 mu m SiGe BiCMOS
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使用 0.13 μm SiGe BiCMOS 的增益增强型 132-160 GHz 低噪声放大器

DOI:
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发表时间:
2012
影响因子:
1.1
通讯作者:
Li, Le-Wei
Li, Le-Wei
中科院分区:
工程技术4区
文献类型:
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作者:
Xiong, Yong-Zhong;Wang, Lei;Hu, Sangming;Li, Le-Wei

文献摘要

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