Epitaxial ferromagnetic Fe3Si/Si(111) structures with high-quality heterointerfaces
Epitaxial ferromagnetic Fe3Si/Si(111) structures with high-quality heterointerfaces
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DOI：
10.1063/1.2996581
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发表时间：
2008-09-29
影响因子：
4
通讯作者：
Miyao, M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hamaya, K.;Ueda, K.;Miyao, M.
为了发展硅基自旋电子器件，我们探索了高质量的铁磁Fe（3）Si/Si结构。利用低温分子束外延技术，在Si（111）衬底上实现了具有突变界面的Fe（3）Si层的外延生长，生长的Fe（3）Si层具有有序的DO（3）相。Fe（3）Si/Si（111）的磁和电性能测量产生的磁矩类似于3.16 μ（B）/f. u和整流肖特基二极管的行为与理想的因素类似的1.08，分别。(C)2008年美国物理学会。
To develop silicon-based spintronic devices, we have explored high-quality ferromagnetic Fe(3)Si/silicon (Si) structures. Using low-temperature molecular beam epitaxy at 130 C, we realize the epitaxial growth of ferromagnetic Fe(3)Si layers on Si (111) with an abrupt interface, and the grown Fe(3)Si layer has the ordered DO(3) phase. Measurements of magnetic and electrical properties for the Fe(3)Si/Si (111) yield a magnetic moment of similar to 3.16 mu(B)/f.u. at room temperature and a rectifying Schottky-diode behavior with the ideality factor of similar to 1.08, respectively. (C) 2008 American Institute of Physics.