Oxidation of Silicon Nanopillars
Oxidation of Silicon Nanopillars
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DOI：
10.1021/acs.jpcc.1c01514
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发表时间：
2021-04
影响因子：
3.7
通讯作者：
S. Ye;K. Yamabe;T. Endoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ye;K. Yamabe;T. Endoh
系统地研究了不同条件下不同直径的亚100 nm纳米硅(NPs)的干式氧化，结果表明，在900℃时，氧化涉及到深度的自限。
Systematic investigation of dry oxidation of sub-100 nm diameter Si nanopillars (NPs) of various diameters under varying conditions reveals that at 900 °C, the oxidation involves a deep self-limiti...