SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討
SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討
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SiC功率半导体器件烧结银安装降低热阻的研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
舟木 剛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋 将太;杉原 英治;福永 崇平;舟木 剛
