LOW-TEMPERATURE REACTIVE ION ETCHING AND MICROWAVE PLASMA-ETCHING OF SILICON
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DOI：
10.1063/1.99382
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发表时间：
1988-02-22
影响因子：
4
通讯作者：
OKUDAIRA, S
中科院分区：
文献类型：
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作者：
TACHI, S;TSUJIMOTO, K;OKUDAIRA, S
