In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing
In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing
复制标题
毫秒快速热退火过程中硅片温度的原位监测
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Furukawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa
