Fabrication of Gatearound Si Nanowire Transistors for Characterizing Carrier Transport
Fabrication of Gatearound Si Nanowire Transistors for Characterizing Carrier Transport
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用于表征载流子传输的栅绕硅纳米线晶体管的制造
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenji Ohmori;S. Sato;H. Kamimura;H. Iwai. K. Yamada;et.al.
