Improvement of “ performance of Si0.8Ge0.2/SOI p - FinFETs by ultrathin Y2O3 gate stacks with TMA treatment
Improvement of “ performance of Si0.8Ge0.2/SOI p - FinFETs by ultrathin Y2O3 gate stacks with TMA treatment
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通过 TMA 处理的超薄 Y2O3 栅堆叠提高 Si0.8Ge0.2/SOI p - FinFET 的性能
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. - J. Lee and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. - E. Lee ;S. - T. Huang;C. - Y. Yang;K. Toprasertpong;M. Takenaka;Y. - J. Lee and S. Takagi
