Harumasa Yoshida et al.: "In situ monitoring of GaN reactive ion etching by optical emission spectroscopy"Japanese Journal of Applied Physics. 40 4A. L313-L315 (2001)
Harumasa Yoshida et al.: "In situ monitoring of GaN reactive ion etching by optical emission spectroscopy"Japanese Journal of Applied Physics. 40 4A. L313-L315 (2001)
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Harumasa Yoshida 等人：“通过光学发射光谱法原位监测 GaN 反应离子蚀刻”日本应用物理学杂志。
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