A.Wakahara,H.Saiki,J.Genba,and A.Yoshida: "Low-temperature growth of GaN by remote-plasma enhanced organometallic vapor phase epitaxy"J.Crystal Growth. 221. 305-310 (2000)
A.Wakahara,H.Saiki,J.Genba,and A.Yoshida: "Low-temperature growth of GaN by remote-plasma enhanced organometallic vapor phase epitaxy"J.Crystal Growth. 221. 305-310 (2000)
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A.Wakahara、H.Saiki、J.Genba 和 A.Yoshida：“通过远程等离子体增强有机金属气相外延实现 GaN 的低温生长”J.Crystal Growth。
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