Evolution of electron Fermi surface with doping in cobaltates
Evolution of electron Fermi surface with doping in cobaltates
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钴酸盐掺杂电子费米面的演化
DOI：
10.1088/0953-8984/28/33/335601
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发表时间：
2016-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Shiping Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu Lan;Ling Qin;Lulin Kuang;Shiping Feng
电子费米表面的概念是凝聚态物理领域的特征概念之一，它对理解掺杂莫特绝缘体的物理性质起着至关重要的作用。基于t-J模型，我们研究了钴酸盐中电子费米表面的性质，并定性再现了电子费米表面在掺杂下演化的本质特征。证明了下面的六方电子费米面符合卢廷格定理。该理论还预测了低掺杂状态下的费米弧现象，即沿Γ-K方向的六角形电子费米面区域被电子自能抑制，然后沿Γ-M方向的六角形电子费米面区域出现六个不相连的费米弧。而在低掺杂状态下，这种费米弧现象随着掺杂量的增加而减弱。
The notion of the electron Fermi surface is one of the characteristic concepts in the field of condensed matter physics, and it plays a crucial role in the understanding of the physical properties of doped Mott insulators. Based on the t-J model, we study the nature of the electron Fermi surface in the cobaltates, and qualitatively reproduce the essential feature of the evolution of the electron Fermi surface with doping. It is shown that the underlying hexagonal electron Fermi surface obeys Luttinger’s theorem. The theory also predicts a Fermi-arc phenomenon at the low-doped regime, where the region of the hexagonal electron Fermi surface along the Γ-K direction is suppressed by the electron self-energy, and then six disconnected Fermi arcs located at the region of the hexagonal electron Fermi surface along the Γ-M direction emerge. However, this Fermi-arc phenomenon at the low-doped regime weakens with the increase of doping.
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影响因子：
8.6
作者：
Sen Zhou;Meng Gao;H. Ding;P. Lee;Ziqiang Wang
通讯作者：
Sen Zhou;Meng Gao;H. Ding;P. Lee;Ziqiang Wang
DOI：
10.1142/6245
发表时间：
--
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
R. E. Bishopt
通讯作者：
R. E. Bishopt
全电荷自旋复合方案中铜酸盐超导体的电子结构
影响因子：
1.7
作者：
Feng, Shiping;Kuang, Lülin;Zhao, Huaisong
通讯作者：
Zhao, Huaisong
影响因子：
8.6
作者：
J. Luo;N. L. Wang;G. Liu;D. Wu;X. Jing;F. Hu;T. Xiang
通讯作者：
J. Luo;N. L. Wang;G. Liu;D. Wu;X. Jing;F. Hu;T. Xiang
影响因子：
3.7
作者：
K.-W. Lee;J. Kuneš;W. E. Pickett
通讯作者：
K.-W. Lee;J. Kuneš;W. E. Pickett