半導体バリアCuInSe2, CuGaSe2を持つ磁気トンネル接合の理論解析
半導体バリアCuInSe2, CuGaSe2を持つ磁気トンネル接合の理論解析
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半导体势垒CuInSe2、CuGaSe2磁隧道结的理论分析
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
三浦良雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
増田啓介;三浦良雄
