Analysis of carrier modulation in channel of ferroelectric-gate transistors having polar semiconductor
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DOI：
10.1016/j.tsf.2009.09.185
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发表时间：
2010-03
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Fukushima;T. Yoshimura;K. Masuko;K. Maeda;A. Ashida;N. Fujimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Fukushima;T. Yoshimura;K. Masuko;K. Maeda;A. Ashida;N. Fujimura
