Leakage reduction of SiO2/GaN MOS structure by high pressure water vapor annealing
Leakage reduction of SiO2/GaN MOS structure by high pressure water vapor annealing
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高压水蒸气退火减少SiO2/GaN MOS结构的漏电
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lin Tengda;Mutsunori Uenuma;Yasuaki Ishikawa;and Yukiharu Uraoka
