Single-Electron Tunneling via Molecular Quantum Dots Embedded in a Metal-Insulator-Semiconductor Structure
Single-Electron Tunneling via Molecular Quantum Dots Embedded in a Metal-Insulator-Semiconductor Structure
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通过嵌入金属-绝缘体-半导体结构中的分子量子点实现单电子隧道效应
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ryoma Hayakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yatsui;Gyu-Chul Yi;Motoich;早川竜馬;Ryoma Hayakawa;Ryoma Hayakawa;Ryoma Hayakawa;Ryoma Hayakawa
