Sub 20 nm-Node LiNbO3 Domain-Wall Memory
Sub 20 nm-Node LiNbO3 Domain-Wall Memory
复制标题
低于 20 nm 节点的 LiNbO3 畴壁存储器
DOI：
10.1002/admt.202001219
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发表时间：
2021
影响因子：
6.8
通讯作者：
Jiang Anquan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lian Jianwei;Chai Xiaojie;Wang Chao;Hu Xiaobing;Jiang Jun;Jiang Anquan
