Quaternary InAlGaN based deep UV LED with high-Al-content P-type AlGaN
Quaternary InAlGaN based deep UV LED with high-Al-content P-type AlGaN
复制标题
基于四元 InAlGaN 的高 Al 含量 P 型 AlGaN 深紫外 LED
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Hirayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Asano;B;-S.Song;Y.Akahane and S.Noda;Y.Kono;H.Hirayama
