中温GaN 層上InGaN 多重量子井戸構造における V ピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)
中温GaN 層上InGaN 多重量子井戸構造における V ピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)
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中温 GaN 层上 InGaN 多量子阱结构中 V 坑附近势垒的显微光谱评估 (2)
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山田陽一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
倉井聡;大川康平;槇尾凌我;高俊吉;林直矢;岡田成仁;只友一行;山田陽一
