A general method to construct dislocations in atomistic simulations
A general method to construct dislocations in atomistic simulations
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原子模拟中构造位错的通用方法
DOI：
10.1088/1361-651x/ab021a
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发表时间：
2019-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
Zhang Wen Zheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Jin Yu;Zhang Wen Zheng
位错的原子模拟的一个重要方面是初始位错组态的构造。然而，有限的配置可以构建由以前的方法，阻碍了一般的位错组态在真实的材料的模拟。在本文中，我们开发了一种简单而通用的方法来构造具有任意形状的位错，由用户指定，实现在原子水平上的沃尔泰拉过程。它的应用程序的位错螺旋线，部分位错，多位错配置，并在不完美的晶体中的位错的例子，显示本方法的能力和鲁棒性。
An important aspect of atomistic simulations of dislocations is the construction of the initial dislocation configurations. However, limited configurations can be constructed by previous methods, impeding the simulations of a general dislocation configuration in real materials. In this paper, we develop a simple and general method for constructing dislocations with arbitrary shapes specified by the users, realising the Volterra process at the atomic level. Examples of its applications to a dislocation helix, the partial dislocations, the multi-dislocation configurations, and the dislocations in the imperfect crystal are presented, showing the capacity and robustness of the present method.
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DOI：
10.1080/14786444108561389
发表时间：
1951-11
期刊：
Philosophical Magazine Series 1
影响因子：
--
作者：
W. Lomer
通讯作者：
W. Lomer
影响因子：
3.7
作者：
R. Veiga;M. Perez;C. Becquart;C. Domain;S. Garruchet
通讯作者：
R. Veiga;M. Perez;C. Becquart;C. Domain;S. Garruchet
DOI：
10.1016/s0921-5093(00)01716-0
发表时间：
2001-07
影响因子：
6.4
作者：
Y. Qi;A. Strachan;T. Çagin;W. Goddard
通讯作者：
Y. Qi;A. Strachan;T. Çagin;W. Goddard
DOI：
10.1038/nature23472
发表时间：
2016-04
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
L. Zepeda-Ruiz;A. Stukowski;T. Oppelstrup;V. Bulatov
通讯作者：
L. Zepeda-Ruiz;A. Stukowski;T. Oppelstrup;V. Bulatov
影响因子：
1.6
作者：
D. Kuhlmann-wilsdorf
通讯作者：
D. Kuhlmann-wilsdorf