Super self-aligned technology of ultra-shallow junction in MOSFETs using selective Si1−xGex CVD
Super self-aligned technology of ultra-shallow junction in MOSFETs using selective Si1−xGex CVD
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使用选择性 Si1−xGex CVD 的 MOSFET 超浅结超自对准技术
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00814-5
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发表时间：
2002
影响因子：
3.6
通讯作者：
T. Tsuchiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yamashiro;T. Kikuchi;M. Ishii;F. Honma;M. Sakuraba;T. Matsuura;J. Murota;T. Tsuchiya
