Narrow Carrier Concentration Range of Superconductivity and Critical Point of Pseudogap Formation Temperature in Pb- Substituted Bi2Sr2CuO6+δ
Narrow Carrier Concentration Range of Superconductivity and Critical Point of Pseudogap Formation Temperature in Pb- Substituted Bi2Sr2CuO6+δ
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Pb取代Bi2Sr2CuO6+δ中窄载流子浓度范围和赝能隙形成温度临界点
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kudo;N. Okumura;Y. Miyoshi;T. Nishizaki;T. Sasaki;N. Kobayashi
