Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile
Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile
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使用突变源杂质分布改善 p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As 异质结垂直 TFET 的 ION 和 S.S. 值
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Gotow;M. Mitsuharu;T. Hoshi;H. Sugiyama;M. Takenaka;S. Takagi
