松波弘之: "3C-SiC基板上の6H-SiCの成長とステップ制御エピタキシ-" 電気学会電子材料研究会資料. EFM89-11. 11-17 (1989)
松波弘之: "3C-SiC基板上の6H-SiCの成長とステップ制御エピタキシ-" 電気学会電子材料研究会資料. EFM89-11. 11-17 (1989)
复制标题
Hiroyuki Matsunami：“3C-SiC 衬底上 6H-SiC 的生长和步进控制外延” IEEJ 电子材料研究小组材料。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
