ENERGY-BANDS FOR 2H-NBSE2 AND 2H-MOS2
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DOI：
10.1103/physrevlett.30.784
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发表时间：
1973-01-01
影响因子：
8.6
通讯作者：
MATTHEIS.LF
中科院分区：
文献类型：
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作者：
MATTHEIS.LF
层状化合物 2 H− Nb Se 2 和 2 H− Mo S 2 的电子能带结构的第一性原理计算预测金属原子 4 d 能带的 d z 2 和 d xy, d x 2− y 2 流形内存在 1-eV 杂化能隙。这在 2 H− Mo S 2 中产生了一个窄的（~ 1 eV）填充价带，在 2 H− Nb Se 2 中产生了一个半填充导带，与电学、光学和最近的光电发射数据一致。
First-principles calculations of the electronic band structure for the layer-type compounds 2 H− Nb Se 2 and 2 H− Mo S 2 predict a 1-eV hybridization gap within the d z 2 and d xy, d x 2− y 2 manifolds of the metal-atom 4 d bands. This produces a narrow (∼ 1 eV) filled valence band in 2 H− Mo S 2 and a half-filled conduction band in 2 H− Nb Se 2, in agreement with electrical, optical, and recent photoemission date.