Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal : conversion of threading edge dislocations by solution growth
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消除 SiC 晶体中位错的可能性：通过溶液生长转化穿透刃型位错
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Harada;Y.Yamamoto;K.Seki;A.Horio;T.Mitsuhashi;C.Zhu;M.Tagawa;T.Ujihara
