First-Principles Simulations of Platinum-assisted Water Etching of SiC
First-Principles Simulations of Platinum-assisted Water Etching of SiC
复制标题
铂辅助 SiC 水蚀刻的第一性原理模拟
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Pho Van Bui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuya Kobayashi;and Atsushi Kawamoto;Bui Pho Van;Pho Van Bui;Pho Van Bui
