Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate
Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate
复制标题
透明基板上单晶 GeSn 中基于 n /p 结的增强型 N 沟道 TFT 和室温近红外发射
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Oka;M. Koyama;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
