Write-Read Operations in Antiferromagnetic Memory Resistor
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复制标题
反铁磁存储电阻器中的读写操作
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Matsuzaki;T. Moriyama;K.-J. Kim;I. Suzuki;T. Taniyama;T. Ono
