Effect of Remanent Magnetization of Ferromagnetic Thin Film on I-V Characteristics of MOS Transistor : I-V Characteristics By Epitaxial (Mn, Zn)Fe_2O_4 Thin Film on Gate Area
Effect of Remanent Magnetization of Ferromagnetic Thin Film on I-V Characteristics of MOS Transistor : I-V Characteristics By Epitaxial (Mn, Zn)Fe_2O_4 Thin Film on Gate Area
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铁磁薄膜的剩磁对MOS晶体管I-V特性的影响：栅区外延(Mn,Zn)Fe_2O_4薄膜的I-V特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Shimizu;S.Mizukami;N.Wakiya;K.Shinozaki;N.Mizutani
