Investigation on High-κ Dielectric for Low Leakage AlGaN/GaN MIS-HEMT Device, Using Material Selection Methodologies
Investigation on High-κ Dielectric for Low Leakage AlGaN/GaN MIS-HEMT Device, Using Material Selection Methodologies
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DOI：
10.1134/s1063782618040073
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发表时间：
2018-04
期刊：
影响因子：
0.7
通讯作者：
Baikadi Pranay Kumar Reddy;K. R. Teja;Kavindra Kandpal
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Baikadi Pranay Kumar Reddy;K. R. Teja;Kavindra Kandpal
