Nanomagnetic engineering of the properties of domain wall atom traps
Nanomagnetic engineering of the properties of domain wall atom traps
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畴壁原子陷阱特性的纳米磁工程
DOI：
10.48550/arxiv.1109.3666
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hayward T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hayward T
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影响因子：
3.3
作者：
Shannon Whitlock;R. Gerritsma;T. Fernholz;R. Spreeuw
通讯作者：
Shannon Whitlock;R. Gerritsma;T. Fernholz;R. Spreeuw
永磁原子芯片上的玻色-爱因斯坦凝聚
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. D. Sinclair;E. Curtis;I. Llorente Garcia;J. A. Retter;B. V. Hall;S. Eriksson;B. Sauer;E. A. Hinds
通讯作者：
E. A. Hinds
粒状介质磁记录期间的动态微磁写入头场
影响因子：
2.1
作者：
T. Schrefl;M. Schabes;D. Suess;M. Stehno
通讯作者：
M. Stehno
影响因子：
8.6
作者：
Fortagh, J;Grossmann, A;Hänsch, TW
通讯作者：
Hänsch, TW
工艺图案化La_<0.6>Sr_<0.4>MnO_3薄膜的磁畴结构
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Appl.Phys.Lett. 91
影响因子：
--
作者：
Kubota;T. Taniuchi;R. Yasuhara;H. Kumigashira;M. Oshima;K. Ono;H. Okazaki;T. Wakita;T. Yokoya;H. Akinaga;M. Lippmaa;M. Kawasaki;H. Koinuma
通讯作者：
H. Koinuma