Low temperature buffer growth for modulation doped SiGe/Ge/SiGe heterostructures with high hole mobility
Low temperature buffer growth for modulation doped SiGe/Ge/SiGe heterostructures with high hole mobility
复制标题
具有高空穴迁移率的调制掺杂 SiGe/Ge/SiGe 异质结构的低温缓冲生长
DOI：
10.1016/s0040-6090(00)00872-5
复制
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
S. Tanigawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Ueno;T. Irisawa;Y. Shiraki;A. Uedono;S. Tanigawa
